我们的超净室于2005年7月开始建设，于2005年12月投入使用。总面积约为500m2，其中百级洁净区（每立方英尺(即28.3升)空气中，直径大于等于0.5微米尘粒数小于100）面积为42m2，千级洁净区面积为168m2，万级洁净区面积为170m2，机房及辅助区域面积为106m2。

百级区域采用FFU层流形式，截面风速为0.3~0.5m/s，设计风量为6000m3/H； 千级、万级及辅助区域均采用上送下回乱流形式，千级区域设计总风量为30000m3/H，换气次数为60次/H，万级区域设计总风量为20000m3/H，换气次数为30次/H。所有区域温度湿度由恒温恒湿机组保证。

超净室中配备了用于光通信集成器件制作的一整套先进设备。包括英国STS公司进口的一套PECVD （薄膜材料的制备） 、ICP （干法刻蚀）设备、光刻设备、溅射设备、离子束蒸发镀膜机、熔融凝胶机、付里叶变换红外光谱仪、棱镜耦合仪等，全面开展了光集成器件的开发设计、制造工艺、封装检测各层面的基础创新研究，并已取得了丰硕的研究成果。

附超净室各部分仪器列表

百级区：光刻机、匀胶机、湿法工作台、超声波清洗机

千级区：ICP（Si系）、ICP（InP系）、PECVD、磁控溅射机、棱镜耦合仪、台阶仪、光学显微镜

万级区：原子力显微镜、飞秒激光器、氩离子激光器、程控扩散系统、真空烘箱、快速热处理设备

 

万级区
	真空烘箱 用于芯片的氧化		快速热处理设备 退火
百级区
	湿法工作台 主要用于光刻后的显影、湿法腐蚀等有关操作		超声波清洗机 利用超声波清洗半导体芯片、器皿等
千级区
	ICP(Si系) 电感耦合等离子体刻蚀机：主要用于刻蚀二氧化硅、硅等半导体材料		PECVD 用于沉积二氧化硅、氮化硅、不定形硅等薄膜
	ICP(InP系) 主要用于InP的刻蚀		磁控溅射机 可溅射金属包括金、银、镍、铝、钛、镉
	显微镜 在光器件制作的各个阶段观察实验的结果